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Infineon Technologies IPD80R1K4CEBTMA1
| Artikelnummer: | IPD80R1K4CEBTMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Infineon Technologies IPD80R1K4CEBTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPD80R1K4CEBTMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 240µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 Serie CoolMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Verlustleistung (max) 63W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A (Tc) Grundproduktnummer IPD80R IPD80R1K4CEBTMA1 Einzelheiten PDF [English] IPD80R1K4CEBTMA1 PDF - EN.pdf -
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